近日,研微半导体获得A轮数亿元人民币融资,由春华资本领投,据悉,本轮资金将重点投入ALD等高端薄膜沉积设备的核心技术迭代、产能扩张及下一代产品开发,进一步强化高端设备的国产替代能力。

研微半导体成立于2022年,专注于高端薄膜沉积设备的研发与制造,核心技术涵盖原子层沉积(ALD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)及特色外延设备(如硅/锗外延、碳化硅外延)。

虽然,公司成立至今不足3年,但其技术底蕴雄厚,在ALD领域拥有领先的创新技术,其全球首创的双腔体架构,可同步处理沉积与预处理工序,提升产能近2倍,降低客户综合成本30%-40%。

主要得益于其技术团队的领先实力,研微半导体由10余位海外名校博士创立,核心团队来自国际一流半导体设备企业(如应用材料),拥有10-20年研发经验,其中国家级领军人才2人、无锡太湖人才3人。

研微半导体的业务覆盖高端集成电路、功率器件、射频元件及先进封装四大领域。拳头产品包括Spritz系列热ALD设备,应用于5nm以下逻辑芯片的金属栅极沉积,解决高深宽比结构台阶覆盖问题;以及Auratus系列PEALD设备,2025年4月实现逻辑芯片与先进封装领域“双交付”,支持TSV介质填充等先进工艺。

研微半导体以硬核技术突破(如ALD设备国产化)为核心驱动力,在成立30个月内快速完成近10亿元融资。2023年2月和7月分别完成天使轮、天使+轮,2024年1月完成Pre-A轮数亿元人民币融资,今年1月初完成Pre-A+轮数亿元人民币融资,至今其股东团队颇为豪华,毅达资本、春华资本、临芯投资、欣柯创投、海望资本、中科创星、锡创投等一众知名资本参与其中。

ALD又叫原子层沉积设备,在半导体制造中承担高精度薄膜沉积任务,其核心价值在于亚纳米级膜厚控制和超高深宽比结构覆盖能力(>2000:1),广泛应用于先进逻辑芯片(如28nm以下的高k金属栅极、GAA晶体管的金属沉积)、存储芯片(3D NAND的层间介质填充、DRAM电容层)以及先进封装(TSV隔离层)等关键环节。

当前市场竞争呈现国际垄断与国产突破并存的格局。国际巨头荷兰ASM与日本TEL合计占据近50%市场份额,主导高端逻辑与存储芯片领域;而国内企业通过技术差异化实现从0到1的突破:微导纳米在金属ALD领域(如High-k栅极、TiN)技术指标媲美国际水平(均匀性±1.2%,机台稳定率>85%),填补了国产金属沉积设备空白;拓荆科技聚焦介质ALD(SiN、SiO?),覆盖3D NAND和DRAM量产需求;北方华创则布局全品类ALD设备,HKMG工艺已产业化。尽管国产化率仍不足10%,但头部企业产品已进入中芯国际、长江存储等产线验证,并逐步向台积电等国际客户提供解决方案。

未来国产替代将加速向高端化、差异化、生态化发展。技术层面,逻辑芯片进入2nm GAA时代,钴/钌金属沉积和选择性外延需求激增,推动PEALD设备升级;3D DRAM堆叠层数提升对高深宽比填充提出更高要求,如新凯来研发的脉冲等离子体技术实现≤2?精度,韫茂科技攻克粉体ALD均匀性<±3%的规模化难题。

政策与产业链协同方面,设备-材料-制造垂直整合加速,例如峨眉山外延设备与国产硅烷供应链联动降低成本,新凯来等企业构建"设备集群"适配长江存储128层NAND产线。预计2030年国产化率有望突破30%,替代重点聚焦金属ALD、碳化硅外延及先进封装三大领域。