前言：
当英伟达GB300服务器以每秒万亿次算力驱动大模型训练，当新能源汽车实现分钟级快充，当光伏电站平稳应对功率波动，核心元器件电容器正在默默支撑。
这个被称为电子系统[能量守护者]的组件，在第三代半导体GaN/SiC普及和AI算力爆发的双重浪潮下，正经历从传统型向高性能型的颠覆性迭代。
超级电容、硅电容等新型产品打破技术瓶颈，中国企业则在这场变革中加速崛起，推动全球电容产业格局重塑。
作者 | 方文三图片来源 | 网 络
从配角到核心，高性能电容的突破之路
电容器作为电子线路的基础元件，长期扮演着[幕后角色]。
但随着5G、AI、新能源等技术对供电稳定性、功率密度、环境适应性提出极致要求，传统电容器的性能天花板逐渐显现。
传统电容器以MLCC（多层陶瓷电容器）、普通铝电解电容为代表，虽在消费电子、普通工业领域应用广泛，但在高频、高温、高可靠性场景中难以适配。
MLCC采用陶瓷粉末堆叠工艺，存在温度稳定性差、高频损耗大、易因机械应力开裂等问题，在5G基站射频电路、电动汽车电驱系统中易发热失效。
普通铝电解电容则面临能量密度低、寿命短的短板，无法满足AI服务器瞬时功率补偿和新能源汽车长寿命需求。
第三代半导体的崛起进一步放大了这一矛盾，传统电容的响应速度、耐纹波能力和温度适应性均难以匹配，这一[供需错配]催生了高性能电容的技术革命。
超级电容凭借物理储能或准电容储能机制，实现了传统电容与电池的性能融合，其核心优势集中在充放电速度、循环寿命和功率密度三大维度。
根据工作原理，超级电容可分为双电层电容器（EDLC）、法拉第准电容器（赝电容）和锂离子超级电容（LIC）三大类，其中EDLC和LIC成为当前市场的主流技术路线。
EDLC以活性炭为电极，通过物理吸附电荷储能，具备功率密度高、循环寿命长、耐高温的优势，在电网调频、轨道交通制动能量回收等场景表现突出。
LIC则是技术迭代的核心方向，它创新性地融合了EDLC的高功率特性与锂离子电池的高能量密度优势。
正极采用活性炭材料，负极选用可嵌锂石墨并进行预锂化处理，实现了功率与能量的双重突破。
这种技术路线完美适配AI服务器的需求，毫秒级响应速度可应对GPU瞬时功率冲击，高循环寿命满足数据中心长期运行需求，紧凑体积则解决了机柜空间紧张的痛点。
目前，LIC已被英伟达确定为GB300服务器的标配方案，成为超级电容领域增长最快的细分赛道。
在高频、超高可靠性场景中，硅电容凭借半导体级工艺实现了性能飞跃。
与传统MLCC的陶瓷粉末堆叠工艺不同，硅电容以单晶硅晶圆为衬底，通过光刻、沉积、蚀刻等芯片级工艺制造，实现纳米级精度控制。
这种工艺赋予硅电容三大核心优势：
①温度稳定性极强，在-55℃~250℃宽温域内容值漂移仅为MLCC的十分之一；
②高频损耗极低，工作频率突破100GHz，适配5G毫米波通信、自动驾驶雷达等场景；
③机械强度高，单晶硅的弯曲强度是陶瓷的3倍以上，彻底解决了MLCC易开裂的痛点。
不同技术路线的高性能电容形成了互补格局，各自占据特定应用领域。
这种差异化布局，使得高性能电容在AI、新能源、轨道交通等关键领域实现全面渗透，成为技术落地的[最后一公里]保障。
算力与能源双轮驱动，万亿赛道加速扩容
高性能电容的技术突破，恰逢全球数字经济与能源转型的历史性交汇期。
AI服务器的算力扩张、新能源汽车的电动化浪潮、可再生能源的规模化并网，共同催生了对高性能电容的爆发式需求，市场规模持续高速增长。
根据QYResearch数据，2024年全球超级电容技术市场销售额达10.94亿美元，预计2031年将增长至17.2亿美元，年复合增长率6.8%。
另一家机构的预测更为乐观，2024-2029年间全球超级电容器市场年复合增长率将达11.57%，2029年市场规模将达13.7亿美元。
硅电容市场同样表现亮眼，2023年全球规模约12亿美元，2025年预计突破25亿美元，年复合增长率高达35%。
细分领域中，AI服务器成为最大增长引擎。随着大模型参数规模扩大，GPU的短时最大热功率（EDP）大幅超过额定热功率（TDP），导致电力尖峰问题，可能使GPU性能削减20%-30%。
超级电容凭借毫秒级响应速度和高功率密度，成为解决这一痛点的核心方案。
英伟达GB300服务器已将超级电容列为标配，单台服务器钽电容用量达1.6万颗，机构预测2026年GB300批量交付将带来超20亿元的新增超容市场规模。
2023年我国新能源汽车产销量分别达958.7万辆和949.5万辆，市场占有率达31.6%，超级电容作为再生制动系统的核心组件，可快速捕获动能，提高车辆效率。
在储能领域，2024年底我国互联网数据中心机架数量达83万个，光伏、风电装机量持续增长，超级电容和硅电容在调频、备用电源等场景的应用不断扩大。
中国作为全球最大的电子制造基地和新能源市场，已成为高性能电容的核心消费国。
2019年中国超级电容器市场规模约57亿元，预计2025年将超过160亿元，增长速度远超全球平均水平。
政策支持进一步放大市场潜力，中国将超级电容器列为战略性新兴产业，通过专项资金扶持、研发补贴、绿色能源政策等多方面助力产业发展。
《节能与新能源汽车技术路线图2.0》明确提出，2025年混合电容国产化率目标达40%，为国内企业提供了清晰的发展路径。
在AI和半导体产业政策推动下，高性能电容作为核心配套器件，更获得了产业链协同发展的政策红利。
在超级电容领域，日本武藏（MUSASHI）凭借LIC技术占据英伟达供应链核心地位，美国Maxwell则在EDLC领域保持优势，2023年二者在中国市场的份额分别达25%和21%。
硅电容市场则由日本村田、TDK主导，核心技术专利集中在三维封装、材料配方等领域。
AI服务器所需的LIC超级电容，全球仅武藏、江海股份等少数企业具备量产能力；硅电容的晶圆级制造工艺则长期被美日企业垄断，国内高端市场进口依存度达52%。
这种供需失衡，为中国企业的国产替代提供了广阔空间，尤其是在AI服务器、新能源汽车等快速增长的领域，国内企业凭借成本优势和快速响应能力，正逐步抢占市场份额。
技术积累与产业链协同，中国企业的崛起之路
江海股份以薄膜电容为支点切入新能源汽车供应链，艾华集团在高频铝电解领域绑定光伏逆变器龙头，风华高科则通过MLCC微型化与高压化技术叩开AI服务器大门。
永铭电子瞄准GaN电源模块的高频噪声难题，昆山弘聚电子专攻车规薄膜电容的自愈式技术，芯容科技则以超级电容重构储能系统的能量管理逻辑。
这些企业的共同特点是避开与巨头正面竞争，通过深度绑定单一客户或场景，以小而美的技术突破建立差异化壁垒，逐步从配角成长为关键玩家。
在超级电容、硅电容等领域实现突破，涌现出江海股份、永铭电子、森丸电子等一批龙头企业，国产替代进程加速推进。
江海股份作为国内超级电容的领军企业，通过技术积累和产业链布局，成为国产替代的核心力量。
公司2013年受让日本ACT公司的LIC核心技术，经过8亿元募投项目的技术改造，已形成覆盖锂离子超容研发、量产到场景落地的完整能力，是国内唯一能批量供应适配英伟达AI服务器LIC产品的企业。
在技术性能上，江海股份的LIC产品能量密度达到同行的2-3倍，空间占用更小，生产周期仅为日本武藏的2/3，成本较海外竞品低30%以上。
在供应链布局上，公司已切入台达供应链，台达作为英伟达最大的电源供应商，为江海股份间接配套GB300服务器提供了关键通道。
目前，江海股份的超级电容产品已向微软、Facebook、Google、英伟达等国际头部云服务商送样测试，2025年第二季度完成测试后将进入小批量订单阶段。
在硅电容这一高端细分领域，森丸电子作为国内首家掌握设计+制造全链技术的企业，打破了美日企业的垄断。
公司深耕行业十余年，基于晶圆级薄膜半导体工艺，开发出沟槽硅电容（DTC）、MIM表贴硅电容、MIS硅电容等系列产品，性能已可与国际大厂比肩。
芯容科技则在储能领域开辟[超级电容+锂电池]混合储能路线。其石墨烯复合电极超级电容能量密度突破15Wh/kg，循环寿命达10万次，可适配光伏电站的调频调峰需求。
专注于高端电容领域的永铭电子，成为第三代半导体落地的关键配套企业，产品性能对标日系同行，在小型化、高频低阻、耐高温等方面形成核心优势。
针对AI服务器的高频GaN器件，永铭电子推出IDC3系列服务器专用电容，通过内部材料革新和结构优化，单位体积容值提升30%。
针对英伟达GB300 AI服务器的BBU需求，公司创新推出SLF系列锂离子超级电容，内阻压缩至＜1mΩ，实现毫秒级响应。
针对英飞凌GaN MOS器件的轨道交通电源方案，LK系列高频低阻电容解决了日系产品低温鼓包的问题，实现对日系电容的高性价比替代。
结尾
当GaN/SiC器件在新能源汽车、AI服务器等领域的渗透率突破30%临界点，高性能电容的国产化需求从可选项变为必答题。
在[双碳]目标和AI革命的时代背景下，高性能电容作为连接能源转型与数字经济的桥梁，正迎来前所未有的发展机遇。
部分资料参考：MMAXWELL超级电容：《超级电容爆发前夜：从AI服务器到风电储能，千亿市场即将崛起》，电子发烧友网：《第三代半导体浪潮下，高端电容器打通方案落地[最后一公里]》，EDN电子技术设计：《第三代半导体时代，电容器的五大创新实践》，华芯资本：《硅电容：重构电容赛道，下一代电子元器件的隐形冠军》
原文标题 : 产业丨高算力时代下，高性能电容的突围与国产替代机遇
